Тип чипов памяти NAND
Количество бит на ячейку 3 бит TLC
Структура памяти 3D NAND
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Компоновка чипов памяти односторонняя
Подключение
Ключ M.2 разъема M
Интерфейс PCI-E 3.0 x4
NVMe
Максимальная скорость последовательного чтения 1700 Мбайт/сек
Максимальная скорость последовательной записи 1100 Мбайт/сек
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 290000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 260000 IOPS
Пропускная способность интерфейса 32 Гбит/с
Ресурс работы 80 TBW
Поддержка команды TRIM
Энергопотребление 2.07 Вт